可用作硅片的研磨材料是（）

對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時，半導體具有（）半導體的導電特性。

在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構。

熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）

只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是（）。 

下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）

在光線作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱（）

如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱為（）。

CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）

鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）