鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）

熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）

只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是（）。 

在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。

對于大注入下的直接復(fù)合，非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù)，它與（）。

雜質(zhì)半導體中的載流子輸運過程的散射機構(gòu)中，當溫度升高時，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是（）

直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段？（）

硅片拋光在原理上不可分為（）

下列選項中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）

懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括（）