A.用電壓表測(cè)量指針不動(dòng)
B.相當(dāng)于懸空
C.電壓不高不低
D.測(cè)量電阻指針不動(dòng)
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A.1V
B.1.4V
C.2.1V
D.0.7V
A.輸入級(jí)
B.放大級(jí)
C.中間級(jí)
D.輸出級(jí)
A.有1出1,全0出0
B.有0出0,全1出1
C.有1出0、全0出1
D.有0出1,全1出0
A.有1出1,全0出0
B.有0出0,全1出1
C.有1出0、全0出1
D.有0出1,全1出0
A.有1出1,全0出0
B.有0出0,全1出1
C.有1出0、全0出1
D.有0出1,全1出0
A.飽和區(qū)和放大區(qū)
B.放大區(qū)和截止區(qū)
C.飽和區(qū)和截止區(qū)
D.集電區(qū)和發(fā)射區(qū)
A.全局布線區(qū)
B.通用邏輯塊
C.輸出布線區(qū)
D.輸出控制單元
A.可編程邏輯陣列
B.可編程陣列邏輯
C.通用陣列邏輯
D.專用陣列邏輯
A.與非與非
B.異或
C.最簡(jiǎn)與或
D.最簡(jiǎn)或與
A.PROM
B.EPROM
C.SRAM
D.PLA
最新試題
兩個(gè)與非門構(gòu)成的基本RS觸發(fā)器,當(dāng)Q=1、Q=0時(shí),兩個(gè)輸入信號(hào)R=1和S=1。觸發(fā)器的輸出Q會(huì)()。
如要將一個(gè)最大幅度為5.1V的模擬信號(hào)轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號(hào),要求輸入每變化20mV,輸出信號(hào)的最低位(LSB)發(fā)生變化,應(yīng)選用()位ADC。
27系列EPROM存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)是()可擦除的。
采用浮柵技術(shù)的EPROM中存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)是()可擦除的。
要使JK觸發(fā)器的輸出Q從1就成0,它的輸入信號(hào)JK就為()。
什么是觸發(fā)器的空翻現(xiàn)象,如何避免空翻?
ROM可以用來存儲(chǔ)程序、表格和大量固定數(shù)據(jù),但它不可以用來實(shí)現(xiàn)()。
用1M×4的DRAM芯片通過()擴(kuò)展可以獲得4M×8的存儲(chǔ)器。
()在計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中得到了廣泛的應(yīng)用,其中一個(gè)重要用途是構(gòu)成數(shù)據(jù)總線。
一個(gè)兩輸入端的門電路,當(dāng)輸入為10時(shí),輸出不是1的門電路為()