填空題?熱氧化工藝本質(zhì)上是在硅與二氧化硅（）發(fā)生的硅的氧化反應(yīng)。
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2.多項(xiàng)選擇題關(guān)于鋁膜下列哪種說(shuō)法正確？（）
A.耐腐蝕性好
B.與硅接觸可能出現(xiàn)尖楔現(xiàn)象
C.抗電遷移性差
D.穩(wěn)定性好
3.多項(xiàng)選擇題
看圖判斷，下列哪種描述正確？（）
A.圖（b）是注入的低能離子
B.圖（b）是注入的高能離子
C.圖（a）是注入的低能離子
D.圖（a）是注入的高能離子
4.多項(xiàng)選擇題擴(kuò)散系數(shù)是表征擴(kuò)散快慢的參數(shù)，它相當(dāng)于單位濃度梯度時(shí)的擴(kuò)散通量，所以它（）
A.單位為m2/s
B.有單位
C.無(wú)單位
D.單位為m/s
5.多項(xiàng)選擇題?P在兩歩擴(kuò)散工藝中，第二步再分布的同時(shí)又進(jìn)行了熱氧化（kp=10），這會(huì)給再分布擴(kuò)散帶來(lái)哪些影響？（）
A.P擴(kuò)散速度加快
B.擴(kuò)入Si的P總量下降
C.在SiO2/Si界面Si一側(cè)的P耗竭（是指低于SiO2一側(cè)）
D.在SiO2/Si界面Si一側(cè)的P堆積（是指高于SiO2一側(cè)）
最新試題
目前制備SOI材料的主流技術(shù)有幾種？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
注入損傷與注入離子的以下哪個(gè)參數(shù)無(wú)關(guān)？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
如下哪個(gè)選項(xiàng)不是半導(dǎo)體器件制備過(guò)程中的主要污染物？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
摻雜后，退火的目的是（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
刻蝕工藝可以和以下哪個(gè)工藝結(jié)合來(lái)實(shí)現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
厚膜電阻的成分，一是導(dǎo)體顆粒，二是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
CE定律發(fā)展面臨的問(wèn)題包括（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
常壓的硅外延方法有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
下面哪道工序主要是針對(duì)晶圓切割之后在顯微鏡下進(jìn)行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題