金屬化中可選用的金屬材料有（）。

CE定律發(fā)展面臨的問題包括（）。

CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。

常壓的硅外延方法有（）。

光刻工藝對準誤差包括（）。

摻雜后，退火的目的是（）。

多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。

下面哪個選項不是集成電路工藝用化學氣體質(zhì)量的指標？（）

封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。

光刻工藝的特點包括（）。