刻蝕工藝可以和以下哪個工藝結(jié)合來實現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）

CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。

下面哪個選項不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標(biāo)？（）

封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。

光刻工藝對準(zhǔn)誤差包括（）。

金屬化中可選用的金屬材料有（）。

硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。

摻雜后，退火的目的是（）。

IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。

消除鳥嘴效應(yīng)的方法有（）。