等離子體

陰極射線致發(fā)光

本征光電導(dǎo)

MOS管是一種電流型半導(dǎo)體器件，BJT是一種電壓型半導(dǎo)體器件。

異質(zhì)結(jié)是由至少兩種不同禁帶寬度的半導(dǎo)體相互接觸而形成的。

硅中常見(jiàn)的B摻雜和As摻雜都是深能級(jí)摻雜。

光電探測(cè)器的靈敏度主要取決于其禁帶寬度大小。

猝滅劑

當(dāng)一個(gè)NPN型BJT工作在電流放大模式下時(shí)，其（）的pn結(jié)上的電壓方向是反向偏置的

非本征光電導(dǎo)