光電探測器的靈敏度主要取決于其禁帶寬度大小。

陰極射線致發(fā)光

TEM觀測與SEM相同，對樣品厚度沒有要求。

在CMOS工藝中，最為昂貴的步驟是：（）

AlAs的禁帶寬度比GaAs大，晶格常數也更大。

光生伏特效應

敏化劑

半導體鍍膜通常在真空中進行是為了減少雜質沉積的干擾。

有A和B兩種單質晶體，我們知道A的晶格常數是5Å，帶隙是1.2eV，B的晶格常數是4Å，其帶隙有可能是（）eV

猝滅劑