光電導(dǎo)效應(yīng)

光電探測(cè)器的靈敏度主要取決于其禁帶寬度大小。

敏化劑

提高光刻最小線(xiàn)寬可以通過(guò)提升介質(zhì)的介電常數(shù)實(shí)現(xiàn)。

猝滅劑

有A和B兩種單質(zhì)晶體，我們知道A的晶格常數(shù)是5Å，帶隙是1.2eV，B的晶格常數(shù)是4Å，其帶隙有可能是（）eV

MOS管是一種電流型半導(dǎo)體器件，BJT是一種電壓型半導(dǎo)體器件。

硅中常見(jiàn)的B摻雜和As摻雜都是深能級(jí)摻雜。

MOSFET開(kāi)關(guān)的基本工作原理是通過(guò)（）極電壓來(lái)控制（）極和（）極之間的導(dǎo)電溝道的通斷。

PMOS的基底是p型半導(dǎo)體，所以叫PMOS。