有A和B兩種單質(zhì)晶體，我們知道A的晶格常數(shù)是5Å，帶隙是1.2eV，B的晶格常數(shù)是4Å，其帶隙有可能是（）eV

XPS只能檢測元素種類，無法標(biāo)定元素含量。

光電導(dǎo)效應(yīng)

平衡態(tài)下在pn結(jié)中p區(qū)和n區(qū)的費米能級是相等的。

光生伏特效應(yīng)

一般說的14nm工藝線指的是MOSFET中的（）達(dá)到了14nm量級

光生伏特效應(yīng)

半導(dǎo)體鍍膜通常在真空中進(jìn)行是為了減少雜質(zhì)沉積的干擾。

在CMOS工藝中，最為昂貴的步驟是：（）

內(nèi)光電效應(yīng)