MOS管是一種電流型半導(dǎo)體器件，BJT是一種電壓型半導(dǎo)體器件。

光生伏特效應(yīng)

半導(dǎo)體鍍膜通常在真空中進(jìn)行是為了減少雜質(zhì)沉積的干擾。

硅中常見的B摻雜和As摻雜都是深能級摻雜。

光刻技術(shù)中的反刻工藝，通常應(yīng)用于（）的情況。

猝滅劑

非本征光電導(dǎo)

PMOS的基底是p型半導(dǎo)體，所以叫PMOS。

光電探測器的靈敏度主要取決于其禁帶寬度大小。

內(nèi)光電效應(yīng)