是電導率隨著光量力的變化而變化的電子元件，當某種物質(zhì)受到光照時，載流子的濃度增加從而增加了電導率，這就是光電導效應。
將結(jié)晶碳沉積在陶瓷棒骨架上制成。碳膜電阻器成本低、性能穩(wěn)定、阻值范圍寬、溫度系數(shù)和電壓系數(shù)低，是目前應用最廣泛的電阻器。
是一種機電元件，他靠電刷在電阻體上的滑動，取得與電刷位移成一定關系的輸出電壓。
最新試題
所謂n溝道MOS管指的是它的基底是n型半導體。
光電探測器的靈敏度主要取決于其禁帶寬度大小。
激活劑
光生伏特效應
本征光電導
MOS管是一種電流型半導體器件，BJT是一種電壓型半導體器件。
磁滯回線
有A和B兩種單質(zhì)晶體，我們知道A的晶格常數(shù)是5Å，帶隙是1.2eV，B的晶格常數(shù)是4Å，其帶隙有可能是（）eV
AFM通常用來觀測樣品表面形貌。
半導體鍍膜通常在真空中進行是為了減少雜質(zhì)沉積的干擾。