半導(dǎo)體中的價(jià)帶空穴電流其實(shí)就是導(dǎo)帶電子電流的一種等價(jià)說(shuō)法。

XPS只能檢測(cè)元素種類，無(wú)法標(biāo)定元素含量。

光生伏特效應(yīng)

提高光刻最小線寬可以通過(guò)提升介質(zhì)的介電常數(shù)實(shí)現(xiàn)。

半導(dǎo)體鍍膜通常在真空中進(jìn)行是為了減少雜質(zhì)沉積的干擾。

硅中常見(jiàn)的B摻雜和As摻雜都是深能級(jí)摻雜。

磁滯回線

異質(zhì)結(jié)是由至少兩種不同禁帶寬度的半導(dǎo)體相互接觸而形成的。

MBE只能用于III-V族化合物的生長(zhǎng)。

通常利用TEM觀測(cè)的分辨率高于SEM。