平衡態(tài)下在pn結(jié)中p區(qū)和n區(qū)的費(fèi)米能級是相等的。

AlAs的禁帶寬度比GaAs大，晶格常數(shù)也更大。

猝滅劑

敏化劑

一般說的14nm工藝線指的是MOSFET中的（）達(dá)到了14nm量級

MBE只能用于III-V族化合物的生長。

半導(dǎo)體中的價(jià)帶空穴電流其實(shí)就是導(dǎo)帶電子電流的一種等價(jià)說法。

內(nèi)光電效應(yīng)

有A和B兩種單質(zhì)晶體，我們知道A的晶格常數(shù)是5Å，帶隙是1.2eV，B的晶格常數(shù)是4Å，其帶隙有可能是（）eV

GaAs晶體是（）結(jié)構(gòu)