是將摻雜氣體導入放有硅片的高溫爐中，將雜質(zhì)擴散到硅片內(nèi)的一種方法。
在半導體中加入微量的其他元素的原子，可以改變半導體的導電能力和導電類型。
當MOSFET進入飽和區(qū)時有效溝道長度隨漏源電壓的變化而變化，從而漏電流略有增加。
最新試題
碳納米管場效應晶體管是未來晶體管發(fā)展趨勢之一。
IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎是（）。
金屬化中可選用的金屬材料有（）。
摻雜后，退火的目的是（）。
新的平坦化方法有哪幾個？（）
下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）
光刻工藝的設備核心是（）。
刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。
注入損傷與注入離子的以下哪個參數(shù)無關(guān)？（）
光刻工藝的特點包括（）。