進行溝槽填充常用的金屬材料是（）。

芯片粘接的工藝過程包括（）。

進行光刻工藝前的清洗步驟是（）。

刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。

摻雜后退火時間一般在（）。

如下哪個選項不是半導體器件制備過程中的主要污染物？（）

下面哪個選項不是集成電路工藝用化學氣體質量的指標？（）

光刻工藝的特點包括（）。

碳納米管場效應晶體管是未來晶體管發(fā)展趨勢之一。

CE定律發(fā)展面臨的問題包括（）。