光刻工藝的設(shè)備核心是（）。

刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。

目前制備SOI材料的主流技術(shù)有幾種？（）

下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）

硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項？（）

光刻工藝的特點包括（）。

IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。

金屬化中可選用的金屬材料有（）。

CE定律發(fā)展面臨的問題包括（）。

濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。