說明MOS器件噪聲的來源、成因及減小方法。

MOS器件按比例縮小后對器件特性有什么影響？

規(guī)定版圖幾何設計規(guī)則的意義是什么？

什么是電阻率？它的單位是什么（國際標準單位制）？

在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，求M4的漏電流。

在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，畫出Vx從一個大的正值下降時Ix的草圖。

試用電導率為102/（Ω·cm），厚1μm的材料設計1kΩ的電阻，設電阻寬1μm，求其長。

由硅片生產(chǎn)的半導體產(chǎn)品，又被稱為（）。

比較砷化鎵和磷化銦等襯底與硅襯底上的電感等效電路，試分析兩者存在差異的原因。

設計一個CMOS差分放大器電路，寫出其對應的SPICE描述語句并作差模電流-電壓特性分析。