編寫(xiě)DRC版圖驗(yàn)證文件的主要依據(jù)是什么？

版圖設(shè)計(jì)的基本前提是什么？

集成電路電阻可以通過(guò)（）產(chǎn)生。

從設(shè)計(jì)的觀(guān)點(diǎn)出發(fā)，版圖設(shè)計(jì)規(guī)則應(yīng)包括哪些部分？

規(guī)定版圖幾何設(shè)計(jì)規(guī)則的意義是什么？

說(shuō)明MOS器件噪聲的來(lái)源、成因及減小方法。

什么是無(wú)源電阻？什么是有源電阻？舉例說(shuō)明。

設(shè)計(jì)一個(gè)CMOS差分放大器電路，寫(xiě)出其對(duì)應(yīng)的SPICE描述語(yǔ)句并作差模電流-電壓特性分析。

硅半導(dǎo)體工藝中的絕緣材料主要來(lái)源于硅自身產(chǎn)生的（）材料等。

MOS場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）在20世紀(jì)70年代得到了廣泛的接受，從那時(shí)起到現(xiàn)在一直是集成電路的主流晶體管。MOSFET有兩類(lèi)（）和（）。每種類(lèi)型可由各自器件的多數(shù)載流子來(lái)區(qū)別。