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最新試題

目前集成電路版圖設(shè)計(jì)的主流工具有哪些?

題型:?jiǎn)柎痤}

版圖設(shè)計(jì)的基本前提是什么?

題型:?jiǎn)柎痤}

編寫(xiě)DRC版圖驗(yàn)證文件的主要依據(jù)是什么?

題型:?jiǎn)柎痤}

由于襯底材料的緣故會(huì)自動(dòng)產(chǎn)生電容,這種電容稱為()。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

設(shè)計(jì)一個(gè)CMOS差分放大器電路,寫(xiě)出其對(duì)應(yīng)的SPICE描述語(yǔ)句并作差模電流-電壓特性分析。

題型:?jiǎn)柎痤}

把半導(dǎo)體級(jí)硅的多晶硅塊,轉(zhuǎn)換成一塊大的單晶硅的過(guò)程,稱作()。生長(zhǎng)后的單晶硅被稱為()。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

MOS場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)在20世紀(jì)70年代得到了廣泛的接受,從那時(shí)起到現(xiàn)在一直是集成電路的主流晶體管。MOSFET有兩類()和()。每種類型可由各自器件的多數(shù)載流子來(lái)區(qū)別。

題型:多項(xiàng)選擇題

從天然硅中獲得達(dá)到生產(chǎn)半導(dǎo)體器件所需純度的SGS要經(jīng)過(guò)()等步驟。

題型:多項(xiàng)選擇題

比較砷化鎵和磷化銦等襯底與硅襯底上的電感等效電路,試分析兩者存在差異的原因。

題型:?jiǎn)柎痤}

MOS器件按比例縮小后對(duì)器件特性有什么影響?

題型:?jiǎn)柎痤}