集成電容主要有幾種結(jié)構(gòu)？

規(guī)定版圖幾何設計規(guī)則的意義是什么？

根據(jù)圖，給出M2管的漏極電流表達式。

MOS器件按比例縮小后對器件特性有什么影響？

從設計的觀點出發(fā)，版圖設計規(guī)則應包括哪些部分？

硅半導體工藝中的絕緣材料主要來源于硅自身產(chǎn)生的（）材料等。

在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，畫出Vx從一個大的正值下降時Ix的草圖。

設計一個CMOS差分放大器電路，寫出其對應的SPICE描述語句并作差模電流-電壓特性分析。

利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構(gòu)成一個MOS管，已知Cox＝5×10-4pF/μm2，估算柵極電容。

晶體管的名字取自于（）和（）兩詞。