利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構(gòu)成一個MOS管，已知Cox＝5×10-4pF/μm2，估算柵極電容。

由于襯底材料的緣故會自動產(chǎn)生電容，這種電容稱為（）。

為提高CMOS集成電路的抗自鎖能力，可在版圖設(shè)計上采取哪些措施？

MOS器件按比例縮小后對器件特性有什么影響？

集成電容主要有幾種結(jié)構(gòu)？

硅半導(dǎo)體工藝中的絕緣材料主要來源于硅自身產(chǎn)生的（）材料等。

半導(dǎo)體工藝技術(shù)中，器件互連材料通常包括（）等。

版圖DRC、ERC和LVS的意義是什么？

在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，畫出Vx從一個大的正值下降時Ix的草圖。

規(guī)定版圖幾何設(shè)計規(guī)則的意義是什么？