下面哪個選項不是集成電路工藝用化學氣體質(zhì)量的指標？（）

硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項？（）

進行光刻工藝前的清洗步驟是（）。

如下哪個選項不是半導體器件制備過程中的主要污染物？（）

當許多損傷區(qū)連在一起時就會形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。

目前制備SOI材料的主流技術(shù)有幾種？（）

光刻工藝的特點包括（）。

多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。

光刻工藝的設備核心是（）。

注入損傷與注入離子的以下哪個參數(shù)無關(guān)？（）