1、原生氧化層 2、屏蔽氧化層 3、遮蔽氧化層 4、場區(qū)和局部氧化層 5、襯墊氧化層 6、犧牲氧化層 7、柵極氧化層 8、阻擋氧化層
1、整形處理:去掉兩端,檢查電阻確定單晶硅達到合適的摻雜均勻度。 2、切片 3、磨片和倒角 4、刻蝕 5、化學機械拋光
縮寫中文含義 APCVD HDPCVD LPCVD PECVD PVD BJT CD CMOS CMP MIC ILD MBE SOI DUV MOCVD BSG PSG BPSG RTP RTA IC LOCOS STI LI VLSI CA FIB ARC ASIC RIE FIB EUV LDD
最新試題
濕氧氧化采用的氧化水溫是()。
光刻工藝對準誤差包括()。
光刻工藝的設備核心是()。
刻蝕過程中聚合物形成的來源有()。
新的平坦化方法有哪幾個?()
多層陶瓷基板多層化的方法包括()。
常壓的硅外延方法有()。
鳥嘴效應造成的不良影響有()。
下面哪道工序主要是針對晶圓切割之后在顯微鏡下進行晶圓r的外觀檢查,是否有出現(xiàn)廢品?()
化學機械拋光液的主要成分不包括的是哪個?()