問答題如何解決MOS器件的場區(qū)寄生MOSFET效應(yīng)?
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與多數(shù)載流子相比,少數(shù)載流子的濃度受溫度影響大。
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明兩步擴散法的基本思想,及其每一步工藝的主要特點和目的。
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根據(jù)空位機制下的總擴散系數(shù)公式,給出本征硅,低濃度摻雜,N型重摻雜及P型重摻雜下的擴散系數(shù)公式。
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自由電子帶負電,空穴帶正電。
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