PN 結的單向導電性與外加電壓頻率無關。

列出并解釋替位雜質(zhì)在硅中的三種主要擴散機制。

漂移運動方向是從N 區(qū)到P 區(qū)。

什么是擴散的相互作用？試舉一例說明其對半導體器件的制造有何影響及其產(chǎn)生的原因。

在PN 結中，P 區(qū)的電勢比N 區(qū)高。

本征半導體導電性能很差。

根據(jù)空位機制下的總擴散系數(shù)公式，給出本征硅，低濃度摻雜，N型重摻雜及P型重摻雜下的擴散系數(shù)公式。

試說明擴散工藝中常用的擴散摻雜方法，并說明當前實際工藝中使用的主要方法及理由。

因電場作用所產(chǎn)生的運動稱為擴散運動。

結電容是常量。