問答題晶體缺陷根據維數可分為哪四種？
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化學氣相淀積SiO2與熱生長SiO2相比較，下面哪些說法是正確的：（）。
1.熱生長SiO2只能在Si襯底上生長；
2.CVD SiO2可以淀積在硅襯底上，也可以淀積在金屬、陶瓷、及其它半導體材料上；
3.CVD SiO2，襯底硅不參加反應；
4.CVD SiO2，溫度低。
A.1、2
B.2、4
C.1、4
D.1、2、4
E.1、2、3、4
最新試題
摻雜后，退火的目的是（）。
題型：多項選擇題
厚膜電阻的成分，一是導體顆粒，二是（）。
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當許多損傷區(qū)連在一起時就會形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。
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互連工藝中AL的制備可選用（）。
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下面哪道工序主要是針對晶圓切割之后在顯微鏡下進行晶圓r的外觀檢查，是否有出現廢品？（）
題型：單項選擇題
濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。
題型：單項選擇題
碳納米管場效應晶體管是未來晶體管發(fā)展趨勢之一。
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