因電場(chǎng)作用所產(chǎn)生的運(yùn)動(dòng)稱(chēng)為擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)。

試說(shuō)明半導(dǎo)體制造中擴(kuò)散工藝的主要目的。列出并解釋實(shí)際擴(kuò)散工藝的主要步驟，并說(shuō)明個(gè)步驟的主要作用和工藝溫度。

半導(dǎo)體獲得廣泛應(yīng)用的原因是（）

與多數(shù)載流子相比，少數(shù)載流子的濃度受溫度影響大。

若在直流電路中硅二極管導(dǎo)通，則其導(dǎo)通電壓均可認(rèn)為0.7V。

發(fā)射區(qū)推進(jìn)效應(yīng)

列出并解釋替位雜質(zhì)在硅中的三種主要擴(kuò)散機(jī)制。

OED/ORD

關(guān)于PN 結(jié)的導(dǎo)電，下列敘述不正確的是：（）

漂移運(yùn)動(dòng)方向是從N 區(qū)到P 區(qū)。