如下哪個選項不是半導(dǎo)體器件制備過程中的主要污染物？（）

摻雜后退火時間一般在（）。

光刻工藝的特點包括（）。

化學(xué)機(jī)械拋光液的主要成分不包括的是哪個？（）

常壓的硅外延方法有（）。

目前制備SOI材料的主流技術(shù)有幾種？（）

CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。

進(jìn)行溝槽填充常用的金屬材料是（）。

硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項？（）

刻蝕工藝可以和以下哪個工藝結(jié)合來實現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）