問(wèn)答題MOS晶體管的本征電容通常是指哪幾部分電容?MOS晶體管的寄生電容通常是指哪幾部分電容?
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
1.問(wèn)答題形成SOI材料的主要技術(shù)有哪些?
2.問(wèn)答題輸入緩沖器的作用是什么?
3.問(wèn)答題N+埋層的作用是什么?
4.問(wèn)答題NMOS晶體管可分為哪種類型?
5.問(wèn)答題集成電路的加工過(guò)程的基本操作是什么?
最新試題
收縮型四邊扁平封裝的引腳中心距離比普通的四邊扁平要大,所以在封裝體的邊緣可以容納更多的引腳個(gè)數(shù)。
題型:判斷題
載帶自動(dòng)焊使用的凸點(diǎn)形狀一般有蘑菇凸點(diǎn)和柱凸點(diǎn)兩種。
題型:判斷題
因?yàn)镼FP封裝的可靠性高,且其封裝外形尺寸較小,寄生參數(shù)減小,故多用于高頻電路、音頻電路、微處理器、電源電路。
題型:判斷題
在近十年由于材料和設(shè)備的發(fā)展,同時(shí)伴隨電子產(chǎn)品功能的日益增強(qiáng),()再次來(lái)到大眾視線
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
下列屬于BGAA形式的是()。
題型:多項(xiàng)選擇題
鍵合點(diǎn)根部容易發(fā)生微裂紋,原因可能是鍵合操作中機(jī)械疲勞,也可能是溫度循環(huán)導(dǎo)致熱應(yīng)力疲勞。
題型:判斷題
關(guān)于電子封裝基片的性質(zhì),說(shuō)法錯(cuò)誤的是()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
下面關(guān)于PBGA器件的優(yōu)缺點(diǎn),說(shuō)法錯(cuò)誤的是()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
使用3D封裝技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)40~50倍的成品尺寸和重量的減少。
題型:判斷題
下面選項(xiàng)中硅片減薄技術(shù)正確的是()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題