說明氧化氣氛對擴散有何影響及原因？

試說明硅工藝中常用摻雜雜質(zhì)B，P，As的擴散特性。

下列半導(dǎo)體材料熱敏特性突出的是（）

發(fā)射區(qū)推進效應(yīng)

什么是擴散的相互作用？試舉一例說明其對半導(dǎo)體器件的制造有何影響及其產(chǎn)生的原因。

普通二極管是由PN 結(jié)引出電極封裝而成的。

試說明擴散工藝中常用的擴散摻雜方法，并說明當前實際工藝中使用的主要方法及理由。

在PN 結(jié)形成過程中，空穴的擴散運動方向是從P 區(qū)到N 區(qū)。

本征半導(dǎo)體導(dǎo)電性能很差。

二極管交流等效電路參數(shù)與其靜態(tài)參數(shù)無關(guān)。