試說明硅工藝中常用摻雜雜質(zhì)B，P，As的擴(kuò)散特性。

關(guān)于PN 結(jié)的導(dǎo)電，下列敘述不正確的是：（）

因電場(chǎng)作用所產(chǎn)生的運(yùn)動(dòng)稱為擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)。

發(fā)射區(qū)推進(jìn)效應(yīng)

二極管交流等效電路參數(shù)與其靜態(tài)參數(shù)無關(guān)。

試說明擴(kuò)散工藝中常用的擴(kuò)散摻雜方法，并說明當(dāng)前實(shí)際工藝中使用的主要方法及理由。

什么是擴(kuò)散的相互作用？試舉一例說明其對(duì)半導(dǎo)體器件的制造有何影響及其產(chǎn)生的原因。

根據(jù)空位機(jī)制下的總擴(kuò)散系數(shù)公式，給出本征硅，低濃度摻雜，N型重?fù)诫s及P型重?fù)诫s下的擴(kuò)散系數(shù)公式。

漂移運(yùn)動(dòng)方向是從N 區(qū)到P 區(qū)。

試說明橫向擴(kuò)散以及橫向擴(kuò)散的主要影響。