單項(xiàng)選擇題為了實(shí)現(xiàn)全局平坦化，在集成電路中，經(jīng)常采用（）工藝。
A.反刻
B.CMP
C.SOG
D.高溫回流
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1.單項(xiàng)選擇題以下工藝中，方塊電阻是一個重要的參數(shù)，一般用于衡量（）工藝中雜質(zhì)情況。
A.氧化
B.擴(kuò)散
C.光刻
D.刻蝕
2.單項(xiàng)選擇題在制作MOS管時，采用LOCOS工藝容易出現(xiàn)（）。
A.溝道效應(yīng)
B.鳥嘴效應(yīng)
C.寄生效用
D.閂鎖效應(yīng)
3.單項(xiàng)選擇題光刻時，將掩模版直接放在晶圓表面，與表面的光刻膠接觸，該種光刻方式稱為（）。
A.接觸式
B.接近式
C.投影式
D.步進(jìn)式
4.單項(xiàng)選擇題源漏注入之后，必須進(jìn)行（）工藝，修復(fù)晶格損傷，激活雜質(zhì)。
A.氧化
B.快速熱處理
C.退火
D.擴(kuò)散
5.單項(xiàng)選擇題未進(jìn)行摻雜的二氧化硅薄膜，通常簡寫為（）。
A.PSG
B.USG
C.BSG
D.FSG
最新試題
為了后續(xù)連接方便，信號端一般用什么圖層引出?（）
題型：單項(xiàng)選擇題
用四端器件繪制電路圖時，NMOS管和PMOS管的襯底連接正確的是（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
如果想在電路圖模式下編輯符號，可以選擇以下哪個命令？（）
題型：單項(xiàng)選擇題
氧化層中摻雜了硼雜質(zhì)，一般稱為（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
光刻時，必須將硅片與掩模版進(jìn)行對準(zhǔn)，不同的掩模版之間也要對準(zhǔn)，可以采用仔細(xì)觀察的方法。
題型：判斷題
CMOS制作時，常常用作鈍化層的材料是（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
光刻時，將掩模版直接放在晶圓表面，與表面的光刻膠接觸，該種光刻方式稱為（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
一個四輸入的或非門，一般采用幾個pitch？（）
題型：單項(xiàng)選擇題
以下工藝中，方塊電阻是一個重要的參數(shù)，一般用于衡量（）工藝中雜質(zhì)情況。
題型：單項(xiàng)選擇題
無論是施加正偏壓還是反偏壓，MOS電容都是一種線性電容。
題型：判斷題