單項選擇題摩爾定律中每一代集成電路上晶體管密度翻倍值是多少？（）
A.1倍
B.2倍
C.3倍
D.4倍
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
3.多項選擇題外延雙阱工藝的優(yōu)點包括（）。
A.實現(xiàn)N阱和P阱獨立控制
B.更平坦的表面
C.做在阱區(qū)內(nèi)的器件可以減少受到α粒子輻射的影響
D.抑制閂鎖效應
4.多項選擇題CMOS制作時，常常用作鈍化層的材料是（）。
A.氮化硅
B.二氧化硅
C.多晶硅
D.單晶硅
5.多項選擇題集成電路的制造工藝，需要采用隔離技術(shù)，常見的隔離方法有（）。
A.外延隔離
B.埋層隔離
C.PN結(jié)隔離
D.介質(zhì)隔離
最新試題
顯影后，被曝光區(qū)域的光刻膠被去除，該種光刻膠稱為（）。
題型：單項選擇題
為了后續(xù)連接方便，信號端一般用什么圖層引出?（）
題型：單項選擇題
MOS管版圖一般匹配原則有（）。
題型：多項選擇題
集成電路版圖物理驗證必須要做的步驟主要有哪些？（）
題型：多項選擇題
如果制作柵氧結(jié)構(gòu)，一般采用的方法是（）。
題型：單項選擇題
薄柵管ESD保護結(jié)構(gòu)的ESD保護能力通常為多少？（）
題型：單項選擇題
MOS晶體管的源區(qū)、漏區(qū)及源、漏之間的溝道區(qū)域通常稱為（）。
題型：單項選擇題
未進行摻雜的二氧化硅薄膜，通常簡寫為（）。
題型：單項選擇題
在制作MOS管時，采用LOCOS工藝容易出現(xiàn)（）。
題型：單項選擇題
源漏注入之后，必須進行（）工藝，修復晶格損傷，激活雜質(zhì)。
題型：單項選擇題