判斷題在SiO2/Si刻蝕過(guò)程中等離子體對(duì)硅的刻蝕速率必須控制在非常低的程度，否則SiO2被清除的同時(shí)硅也大量被侵蝕。
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1.多項(xiàng)選擇題關(guān)于光學(xué)光刻，下列哪種方法可以獲得高分辨率（）
A.光源為紫光
B.使用移相掩膜技術(shù)制備的光刻版
C.采取浸入式光刻方法
D.駐波效應(yīng)對(duì)分辨率無(wú)影響
2.多項(xiàng)選擇題濺射與蒸鍍比較，下列那種說(shuō)法正確（）
A.蒸鍍工藝的普適性更好
B.濺射工藝的普適性更好
C.濺射工藝薄膜質(zhì)量（如粘附性、保形性等）更好
D.蒸鍍工藝薄膜質(zhì)量（如粘附性、保形性等）更好
3.多項(xiàng)選擇題從兩電極面積判斷射頻濺射時(shí)，靶放在那個(gè)電極上、襯底放在那個(gè)電極上（）
A.襯底放在面積大的電極上
B.靶放在面積大的電極上
C.襯底放在面積小的電極上
D.靶放在面積小的電極上
4.單項(xiàng)選擇題為了避免尖楔現(xiàn)象用含1%硅的硅鋁合金制備IC內(nèi)電極，多采用下列哪種工藝方法（）
A.射頻濺射
B.LPCVD
C.電阻蒸鍍
D.PECVD
5.單項(xiàng)選擇題poly-Si薄膜通常是采用什么方法制備的（）
A.PECVD
B.LPCVD
C.APCVD
D.LCVD
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封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。
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厚膜電阻的成分，一是導(dǎo)體顆粒，二是（）。
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CE定律發(fā)展面臨的問(wèn)題包括（）。
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進(jìn)行光刻工藝前的清洗步驟是（）。
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碳納米管場(chǎng)效應(yīng)晶體管是未來(lái)晶體管發(fā)展趨勢(shì)之一。
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題型：多項(xiàng)選擇題