多項選擇題濺射與蒸鍍比較，下列那種說法正確（）
A.蒸鍍工藝的普適性更好
B.濺射工藝的普適性更好
C.濺射工藝薄膜質(zhì)量（如粘附性、保形性等）更好
D.蒸鍍工藝薄膜質(zhì)量（如粘附性、保形性等）更好
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1.多項選擇題從兩電極面積判斷射頻濺射時，靶放在那個電極上、襯底放在那個電極上（）
A.襯底放在面積大的電極上
B.靶放在面積大的電極上
C.襯底放在面積小的電極上
D.靶放在面積小的電極上
2.單項選擇題為了避免尖楔現(xiàn)象用含1%硅的硅鋁合金制備IC內(nèi)電極，多采用下列哪種工藝方法（）
A.射頻濺射
B.LPCVD
C.電阻蒸鍍
D.PECVD
3.單項選擇題poly-Si薄膜通常是采用什么方法制備的（）
A.PECVD
B.LPCVD
C.APCVD
D.LCVD
4.單項選擇題LPCVD-SiO2，將工藝控制在較高溫度，有：ks>hg，此時淀積速率的特點為（）
A.反應劑氣體濃度的變化對淀積速率的影響不大
B.溫度的較小變化都會對淀積速率有較大影響
C.淀積速率受氣相質(zhì)量輸運控制
D.淀積速率受表面化學反應控制
5.單項選擇題在已擴散結深達0.8μm的p-Si上再進行濕氧，氧化層厚0.2μm時，結深是多少（）
A.0.6μm
B.0.712μm
C.0.512μm
D.0.088μm