二極管交流等效電路參數(shù)與其靜態(tài)參數(shù)無關(guān)。

試說明擴散工藝中常用的擴散摻雜方法，并說明當(dāng)前實際工藝中使用的主要方法及理由。

試說明硅工藝中常用摻雜雜質(zhì)B，P，As的擴散特性。

發(fā)射區(qū)推進效應(yīng)

試說明半導(dǎo)體制造中擴散工藝的主要目的。列出并解釋實際擴散工藝的主要步驟，并說明個步驟的主要作用和工藝溫度。

明兩步擴散法的基本思想，及其每一步工藝的主要特點和目的。

漂移運動方向是從N 區(qū)到P 區(qū)。

普通二極管是由PN 結(jié)引出電極封裝而成的。

純凈的半導(dǎo)體稱為本征半導(dǎo)體。

列出并解釋替位雜質(zhì)在硅中的三種主要擴散機制。