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填空題單晶硅太陽能電池采用（）表面來增加表面積，用沉積Si₃N₄作（）膜來降低入射光的反射，用在擴散層表面氧化生長（）nm的鈍化層，改變表面層硅原子價鍵失配，減少表面復合，提高短路電流。用PECVD法沉積Si₃N₄時，反應中大量的原子H可以降低鈍化層與表層硅界面的（）

1.填空題圓筒式等離子刻蝕的（），適用于（）工藝；反應離子刻蝕，（），可以用通入不同的工藝氣體，實現(xiàn)好的選擇性，適合于對（）和（）的刻蝕。

2.填空題干法刻蝕的終點檢測有許多方法，通常采用的是（）終點檢測方法。

3.問答題實用的等離子體刻蝕工藝必須滿足哪些條件？

1.反應產(chǎn)物是揮發(fā)性的；
2.選擇比率高；
3.刻蝕速率快；
4.具有好的終點靈敏性；
5.有好的各向異性刻蝕速率。

4.填空題離子注入摻雜劑量偏差的原因主要來源于：（）、（）和可能的（）。例如：當作²⁸Si⁺注入時，可能有真空系統(tǒng)中剩余氣體產(chǎn)生的（）也會同時注入。

5.填空題Al柵CMOS的極限特征尺寸是（），在6微米以下，一般采用（）工藝