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填空題圓筒式等離子刻蝕的（），適用于（）工藝；反應(yīng)離子刻蝕，（），可以用通入不同的工藝氣體，實(shí)現(xiàn)好的選擇性，適合于對(duì)（）和（）的刻蝕。

1.填空題干法刻蝕的終點(diǎn)檢測(cè)有許多方法，通常采用的是（）終點(diǎn)檢測(cè)方法。

2.問答題實(shí)用的等離子體刻蝕工藝必須滿足哪些條件？

1.反應(yīng)產(chǎn)物是揮發(fā)性的；
2.選擇比率高；
3.刻蝕速率快；
4.具有好的終點(diǎn)靈敏性；
5.有好的各向異性刻蝕速率。

3.填空題離子注入摻雜劑量偏差的原因主要來源于：（）、（）和可能的（）。例如：當(dāng)作²⁸Si⁺注入時(shí)，可能有真空系統(tǒng)中剩余氣體產(chǎn)生的（）也會(huì)同時(shí)注入。

4.填空題Al柵CMOS的極限特征尺寸是（），在6微米以下，一般采用（）工藝

5.填空題為了降低臺(tái)階高度對(duì)金屬互連線的影響，在沉積金屬層前必須對(duì)圓片平坦化。平坦化的方法主要有（）和（）。沉積的回流介質(zhì)主要有：（）