刻蝕工藝可以和以下哪個(gè)工藝結(jié)合來實(shí)現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）

新的平坦化方法有哪幾個(gè)？（）

硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。

下面哪個(gè)選項(xiàng)不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標(biāo)？（）

光刻工藝對(duì)準(zhǔn)誤差包括（）。

多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。

封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。

三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無各種廢品。

當(dāng)許多損傷區(qū)連在一起時(shí)就會(huì)形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。

摻雜后，退火的目的是（）。