在P 型半導體中，空穴濃度大于自由電子濃度。

舉例說明什么是同型摻雜和反型摻雜及各自的目的。

OED/ORD

列出并解釋替位雜質在硅中的三種主要擴散機制。

結電容是常量。

PN 結的單向導電性與外加電壓頻率無關。

試說明半導體制造中擴散工藝的主要目的。列出并解釋實際擴散工藝的主要步驟，并說明個步驟的主要作用和工藝溫度。

二極管存在最高工作頻率是因為PN 結有電容效應。

因電場作用所產生的運動稱為擴散運動。

自由電子是載流子，空穴不是。