發(fā)射區(qū)推進效應(yīng)

試說明擴散工藝中常用的擴散摻雜方法，并說明當(dāng)前實際工藝中使用的主要方法及理由。

關(guān)于PN 結(jié)的導(dǎo)電，下列敘述不正確的是：（）

若在直流電路中硅二極管導(dǎo)通，則其導(dǎo)通電壓均可認為0.7V。

試說明硅工藝中常用摻雜雜質(zhì)B，P，As的擴散特性。

理想二極管模型在直流電路分析中誤差很大，因此不能使用。

自由電子帶負電，空穴帶正電。

根據(jù)空位機制下的總擴散系數(shù)公式，給出本征硅，低濃度摻雜，N型重摻雜及P型重摻雜下的擴散系數(shù)公式。

自由電子是載流子，空穴不是。

舉例說明什么是同型摻雜和反型摻雜及各自的目的。