CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。

下面哪道工序主要是針對晶圓切割之后在顯微鏡下進(jìn)行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）

三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無各種廢品。

常壓的硅外延方法有（）。

光刻工藝的特點(diǎn)包括（）。

封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。

刻蝕工藝可以和以下哪個(gè)工藝結(jié)合來實(shí)現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）

互連工藝中AL的制備可選用（）。

厚膜電阻的成分，一是導(dǎo)體顆粒，二是（）。

影響封裝芯片特性的溫度有（）。