多項(xiàng)選擇題擴(kuò)散系數(shù)是表征擴(kuò)散快慢的參數(shù)，它相當(dāng)于單位濃度梯度時(shí)的擴(kuò)散通量，所以它（）

A.單位為m2/s
B.有單位
C.無單位
D.單位為m/s


您可能感興趣的試卷

你可能感興趣的試題

1.多項(xiàng)選擇題?P在兩歩擴(kuò)散工藝中，第二步再分布的同時(shí)又進(jìn)行了熱氧化（kp=10），這會(huì)給再分布擴(kuò)散帶來哪些影響？（）

A.P擴(kuò)散速度加快
B.擴(kuò)入Si的P總量下降
C.在SiO2/Si界面Si一側(cè)的P耗竭（是指低于SiO2一側(cè)）
D.在SiO2/Si界面Si一側(cè)的P堆積（是指高于SiO2一側(cè)）

3.單項(xiàng)選擇題多晶硅薄膜通常采取哪種方法制備？（）

A.磁控濺射
B.VPE
C.LPCVD
D.APCVD

4.單項(xiàng)選擇題?基于LSS理論，離子注入受到靶原子核與電子的阻止，（）。

A.核阻止和電子阻止是獨(dú)立的
B.核阻止本領(lǐng)>電子阻止本領(lǐng)
C.核阻止本領(lǐng)< 電子阻止本領(lǐng)
D.核阻止和電子阻止與入射離子能量無關(guān)

5.單項(xiàng)選擇題?CVD可分為低溫工藝、中溫工藝、高溫工藝，不同溫度制備的同種薄膜（如SiO2）的密度（）

A.溫度升高，略有下降
B.與溫度無關(guān)
C.溫度升高，略有增加
D.都相同