單項(xiàng)選擇題多晶硅薄膜通常采取哪種方法制備？（）

A.磁控濺射
B.VPE
C.LPCVD
D.APCVD


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1.單項(xiàng)選擇題?基于LSS理論，離子注入受到靶原子核與電子的阻止，（）。

A.核阻止和電子阻止是獨(dú)立的
B.核阻止本領(lǐng)>電子阻止本領(lǐng)
C.核阻止本領(lǐng)< 電子阻止本領(lǐng)
D.核阻止和電子阻止與入射離子能量無關(guān)

2.單項(xiàng)選擇題?CVD可分為低溫工藝、中溫工藝、高溫工藝，不同溫度制備的同種薄膜（如SiO2）的密度（）

A.溫度升高，略有下降
B.與溫度無關(guān)
C.溫度升高，略有增加
D.都相同

3.單項(xiàng)選擇題

看圖判斷下列描述是否正確？（）

A.是有限源擴(kuò)散，雜質(zhì)濃度分布是高斯函數(shù)
B.是有限源擴(kuò)散，雜質(zhì)濃度分布是余誤差函數(shù)
C.是恒定源擴(kuò)散，雜質(zhì)濃度分布是余誤差函數(shù)
D.是恒定源擴(kuò)散，雜質(zhì)濃度分布是高斯函數(shù)

4.單項(xiàng)選擇題關(guān)于硅的熱氧化，下面哪種說法正確？（）

A.濕氧比干氧慢得多
B.氧化反應(yīng)是在Si/SiO2界面發(fā)生的
C.水汽氧化層比干氧氧化層致密
D.升高氧氣（或水汽）分壓不影響生長速率

5.多項(xiàng)選擇題CMOSIC通常采取那種隔離方法（）

A.局部場氧化
B.淺槽隔離
C.pn結(jié)隔離
D.混合隔離