如下哪個(gè)選項(xiàng)不是半導(dǎo)體器件制備過程中的主要污染物？（）

摻雜后，退火的目的是（）。

注入損傷與注入離子的以下哪個(gè)參數(shù)無關(guān)？（）

多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。

下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）

互連工藝中AL的制備可選用（）。

金屬化中可選用的金屬材料有（）。

下面哪個(gè)選項(xiàng)不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標(biāo)？（）

光刻工藝對(duì)準(zhǔn)誤差包括（）。

目前制備SOI材料的主流技術(shù)有幾種？（）