金屬化中可選用的金屬材料有（）。

下面哪個選項不是集成電路工藝用化學氣體質(zhì)量的指標？（）

注入損傷與注入離子的以下哪個參數(shù)無關？（）

濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。

三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無各種廢品。

光刻工藝對準誤差包括（）。

CMP的設備構成包括（）。

硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。

厚膜電阻的成分，一是導體顆粒，二是（）。

下面哪道工序主要是針對晶圓切割之后在顯微鏡下進行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）