碳納米管場(chǎng)效應(yīng)晶體管是未來(lái)晶體管發(fā)展趨勢(shì)之一。

下面哪道工序主要是針對(duì)晶圓切割之后在顯微鏡下進(jìn)行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）

芯片粘接的工藝過(guò)程包括（）。

濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。

當(dāng)許多損傷區(qū)連在一起時(shí)就會(huì)形成連續(xù)的非晶層，開(kāi)始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。

硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項(xiàng)？（）

如下哪個(gè)選項(xiàng)不是半導(dǎo)體器件制備過(guò)程中的主要污染物？（）

摻雜后退火時(shí)間一般在（）。

化學(xué)機(jī)械拋光液的主要成分不包括的是哪個(gè)？（）

光刻工藝的特點(diǎn)包括（）。