問(wèn)答題列出熱氧化物的硅片制造的六種用途,并給出各種用途的目的。
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1.問(wèn)答題為什么刪氧要用熱生長(zhǎng)?
2.問(wèn)答題描述場(chǎng)氧化層及其厚度范圍。
3.問(wèn)答題生長(zhǎng)氧化層和淀積氧化層間的區(qū)別是什么?
4.問(wèn)答題什么是淺槽隔離(STI),它取代了什么工藝?
5.問(wèn)答題離子注入后進(jìn)行退火工藝的原因是什么?
最新試題
下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子?()
題型:多項(xiàng)選擇題
進(jìn)行溝槽填充常用的金屬材料是()。
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進(jìn)行光刻工藝前的清洗步驟是()。
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IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是()。
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新的平坦化方法有哪幾個(gè)?()
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摻雜后退火時(shí)間一般在()。
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封裝工藝中,銀漿固化的溫度為()。
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當(dāng)許多損傷區(qū)連在一起時(shí)就會(huì)形成連續(xù)的非晶層,開(kāi)始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
刻蝕工藝可以和以下哪個(gè)工藝結(jié)合來(lái)實(shí)現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移?()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
鳥(niǎo)嘴效應(yīng)造成的不良影響有()。
題型:多項(xiàng)選擇題