當(dāng)許多損傷區(qū)連在一起時就會形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。

摻雜后退火時間一般在（）。

常壓的硅外延方法有（）。

下面哪個選項不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標？（）

摻雜后，退火的目的是（）。

金屬化中可選用的金屬材料有（）。

影響封裝芯片特性的溫度有（）。

新的平坦化方法有哪幾個？（）

CE定律發(fā)展面臨的問題包括（）。

下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）